Завод «Ангстрем-Т» освоил технологию производства Trench MOSFET
Компания «Ангстрем-Т» освоила современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET и на данный момент является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.
Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.
В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.
Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.
«Ангстрем-Т» — ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130-90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. Завод предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий.
